当 AI 芯片、HBM 等新兴赛道占据半导体行业聚光灯时，曾是全球资本追逐焦点的功率半导体领域正经历深刻的格局变革。曾经手握技术与产能优势的日本功率半导体厂商，如今深陷扩产停滞、利润下滑、市场份额萎缩的困境，“撤退” 态势愈发明显；而中国企业则抓住机遇加速突围，在技术攻坚、产能建设与市场份额争夺中强势崛起，推动全球功率半导体产业进入 “新旧交替” 的关键阶段。
一、日本功率半导体：从 “行业霸主” 到 “疲态尽显”
日本曾是全球功率半导体领域的绝对强者。高峰时期，三菱电机、富士电机、东芝、瑞萨、罗姆等五家日本厂商均跻身全球功率半导体市场占有率前十，Omdia 2021 年数据显示其合计市占率超 20%。日本政府更是雄心勃勃，2024 年 5 月发布半导体增长战略草案，计划到 2030 年将本土企业的全球市占率从 20% 提升至 40%，并通过补贴政策大力扶持产业发展。
然而，现实与预期严重脱节。2024 年全球功率半导体市场 TOP10 榜单中，日本厂商仅剩三席，且单家市占率均不足 5%；曾经激进的扩产计划屡屡搁置，企业业绩普遍承压，“撤退” 信号密集显现：
罗姆：2025 财年录得 12 年来首次全年亏损（500 亿日元），2025 财年第一季度营业利润同比暴跌 84.6%。原计划三年 2800 亿日元的碳化硅（SiC）投资缩减至 1500 亿日元，资本支出下降 36%，宫崎县新功率半导体工厂产能扩张速度远不及预期。
瑞萨电子：2025 年上半年净亏损 1753 亿日元，创同期历史新高，最终宣布放弃碳化硅市场布局，解散相关产品团队，取消群马县高崎工厂量产计划；同时裁减约 1050 名员工，制造设施产能利用率仅 30%。
三菱电机：原定 2025 年 11 月投产的熊本县 SiC 晶圆厂扩建计划推迟，五年 3000 亿日元的投资计划陷入缩减考量，2030 年将 SiC 销售额占比提至 30% 以上的目标岌岌可危。
富士电机：2025 财年净利润预计下降 12.2%，半导体设备营收下降 5.8%，营益锐减 42%；受中国企业竞争与欧美厂商降价冲击，新能源汽车用功率半导体订单大幅减少。
东芝：与罗姆的深度合作陷入停滞，三年 1000 亿日元的功率半导体投资因电动汽车需求放缓难以兑现回报，最终选择与中国天岳先进签署备忘录，寻求碳化硅晶圆供应合作。
这些曾经的行业巨头，如今或缩减投资、或放弃赛道、或寻求外部合作，往日的扩张野心被现实困境取代，日本功率半导体的 “黄金时代” 已然落幕。
二、困局根源：内部整合失灵与外部竞争冲击的双重绞杀
日本功率半导体产业的衰退，是内部机制僵化与外部竞争加剧共同作用的结果，其核心矛盾在于 “旧有模式难以适应新的产业生态”。
（一）内部整合：信任缺失、无龙头引领的 “各自为战”
日本功率半导体企业长期陷入 “散而不强” 的困境，难以形成产业合力：
技术保密阻碍协作：各家企业对专有技术过度保护，即便是对客户也严格保密产品规格信息，导致企业间难以建立信任，深度合作无从谈起。例如罗姆作为独立元件制造商，与东芝、三菱电机等隶属于大型集团的企业在战略目标上存在本质差异，协作中常因技术共享、生产协调等问题产生分歧。
缺乏行业主导者：日本功率半导体企业市场份额相近，各有优势却无绝对龙头，没有企业能够主导行业整合。企业间既不愿在合作中让步，又难以统一战略方向，导致政府推动的产业协同计划多流于形式。
战略重心分散：三菱电机、东芝等企业业务涵盖电子、汽车、能源等多个领域，功率半导体仅为其中一环；而罗姆虽专注元件领域，但产品线单一，难以应对多元化市场需求。战略重心的差异使得企业在面对行业变革时，难以快速调整方向。
（二）外部冲击：中国企业崛起与市场需求变脸的 “双重挤压”
外部环境的剧变，成为压垮日本功率半导体产业的 “最后一根稻草”：
中国企业的 “降维打击”：中国功率半导体企业凭借 “技术追赶 + 成本优势 + 规模效应” 快速崛起。在碳化硅基板领域，天科合达（全球市占率 17.3%）、天岳先进（17.1%）跻身全球前三，实现 8 英寸量产并推出 12 英寸衬底；英诺赛科在氮化镓领域以 33.7% 的市占率稳居全球第一，成为 NVIDIA 供应链核心伙伴；比亚迪半导体、中车时代在新能源汽车用 IGBT 领域市占率从 2019 年的 20% 跃升至 2023 年的 60% 以上。中国企业通过垂直整合模式降低成本，借助国内庞大市场实现规模化生产，迫使日本企业陷入价格战，利润空间被持续压缩。
市场需求不及预期：日本企业将功率半导体的增长押注于电动汽车市场，但现实与预期偏差显著：欧洲电动汽车增速放缓，日本本土电动汽车普及速度远落后于中、欧，导致前期扩张的产能无法消化，投资回报不足。同时，全球功率半导体市场 2024 年遭遇库存积压，进一步加剧了日本企业的经营压力。
三、中国崛起：技术、产能、市场全方位突破
在日本企业收缩战线的同时，中国功率半导体产业正以 “全方位突破” 的姿态重塑全球格局，从 “跟跑者” 向 “并跑者” 甚至 “领跑者” 转变。
（一）技术攻坚：打破日本垄断，缩短代差
中国企业在关键技术领域持续突破，逐步缩小与日本的差距：
碳化硅 / 氮化镓领域：天岳先进实现 8 英寸碳化硅衬底量产，推出 12 英寸衬底使单片晶圆芯片产出量提升 40%；英诺赛科建成全球首条 8 英寸硅基氮化镓量产线，技术水平与罗姆、三菱电机持平。
IGBT 领域：比亚迪半导体、中车时代自主研发的车规级 IGBT 模块，已通过特斯拉、蔚来等车企验证，性能接近富士电机同类产品，成本却低 20%-30%。
封装测试：长电科技、通富微电开发的先进封装技术，为功率半导体提供高可靠性解决方案，支撑国内企业快速迭代产品。
（二）产能扩张：构建全产业链优势
中国企业通过垂直整合与产能扩张，构建起从材料到应用的全产业链体系：
上游材料：天科合达、天岳先进年产能合计超 50 万片，成为英飞凌、意法半导体、东芝等国际大厂的核心供应商；
中游制造：三安光电、士兰微建成国内最大的功率半导体晶圆制造基地，8 英寸晶圆产能占比超 60%；
下游应用：依托比亚迪、宁德时代等终端企业，中国功率半导体企业能够快速获取市场反馈，迭代产品性能，形成 “应用 - 改进 - 再应用” 的良性循环。
（三）市场抢占：从国内到全球，绑定国际巨头
中国企业不仅在国内市场替代日本产品，更积极拓展全球市场，与国际巨头深度绑定：
天岳先进与东芝签署合作备忘录，为其提供碳化硅晶圆；
英飞凌从中国企业采购的碳化硅衬底占比达两位数；
意法半导体与三安光电合资建厂，将中国作为全球碳化硅制造基地；
英诺赛科为 NVIDIA Kyber 机架系统提供全链路 GaN 电源解决方案，成为其 800V 架构中唯一的中国供应商。
四、全球格局重构：日本的 “破局之困” 与中国的 “机遇之窗”
当前，全球功率半导体产业正处于格局重构的关键期，日本企业面临 “不整合则衰退” 的绝境，而中国企业则迎来扩大优势的 “黄金机遇”。
（一）日本的破局尝试与挑战
为扭转颓势，日本政府与企业已开始采取行动：政府通过经济产业省为富士电机 - 电装联盟、罗姆 - 东芝合作提供资金支持，推动技术共享与产能协同；企业层面，罗姆与东芝深化制造合作，东芝寻求中国供应商保障原材料供应。但这些尝试仍面临诸多挑战：企业间的信任壁垒难以快速打破，行业整合缺乏龙头引领，且中国企业在成本与产能上的优势已形成护城河，日本企业短期内难以追赶。
（二）中国的机遇与风险
中国功率半导体企业的崛起，得益于国内政策支持、市场需求旺盛与产业链协同，但也需警惕潜在风险：
技术专利风险：日本企业仍掌握部分核心专利，中国企业需加强自主研发，避免专利纠纷；
国际竞争加剧：欧美企业可能通过降价、技术封锁遏制中国企业发展，需提升产品附加值；
产能过剩风险：部分企业盲目扩产可能导致产能过剩，需精准对接市场需求。
五、结语：产业交替下的新秩序
日本功率半导体的 “大撤退”，本质上是全球产业升级与竞争格局重塑的必然结果 —— 旧有的技术垄断与封闭协作模式，难以抵御中国企业 “成本 + 规模 + 市场” 的组合拳。从短期看，日本企业仍能凭借技术积累在高端市场占据一席之地；但从长期看，中国企业在技术攻坚、产能扩张与市场绑定上的优势持续扩大，有望在未来 5-10 年内成为全球功率半导体的主导力量。
这场产业交替，不仅改变了全球功率半导体的竞争格局，更印证了 “技术创新 + 产业链协同 + 市场响应” 才是产业发展的核心逻辑。对于日本企业而言，唯有打破壁垒、深化整合，才能在变局中守住阵地；而中国企业则需抓住机遇，持续提升技术实力，从 “规模领先” 向 “技术领先” 跨越，真正构建起全球产业话语权。